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Semiconductor Manufacturing
碳化硅（SiC）是由硅（Si）和碳（C）組成具有高能隙、高熱導(dǎo)率、高電子飽和漂移速率等優(yōu)異物理特性的第三代半導(dǎo)體材料。而在應(yīng)用上碳化硅器件成本居高不下，一方面生產(chǎn)周期長(zhǎng)產(chǎn)量有限；另一方面晶錠切割工藝損耗多，良率低；碳化硅晶錠主流的切割技術(shù)包括砂漿線切割、金剛石線切割等，然而傳統(tǒng)切割技術(shù)的損耗率太高，而且工時(shí)太長(zhǎng)。以砂漿...
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碳化硅剝離,激光剝離原理,激光剝離優(yōu)勢(shì)
半導(dǎo)體制成技術(shù)及工藝無(wú)論在什么階段都是行業(yè)熱門(mén)話題及研究方向，隨著新一代集成電路中尺寸降低，芯片集成密度提高，導(dǎo)致金屬互連線的寄生電阻效應(yīng)和寄生電容效應(yīng)愈來(lái)愈嚴(yán)重，最終發(fā)熱量增加影響芯片性能工作效率降低。 降低集成電路中使用的介電材料的介電常數(shù)，可以減少集成電路的漏電電流，降低導(dǎo)線之間的電阻、電容效應(yīng)，提升性能及穩(wěn)定性...
紫外皮秒激光,low-k,激光開(kāi)槽,半導(dǎo)體激光開(kāi)槽,激光Low-k開(kāi)槽
晶圓切割（劃片）是芯片制造工藝流程中后道工序。將做好芯片的整片晶圓按芯片大小分割成單一的芯片（晶粒）。早期鉆石鋸片（砂輪）切割方法是較為常見(jiàn)的晶圓切割方法，切穿晶圓,刀片根據(jù)產(chǎn)品選擇,有鋼刀、樹(shù)脂刀等等。由于機(jī)械應(yīng)力的存在，切割槽的背面容易出現(xiàn)崩刃，裂紋，崩邊大，層狀剝離等缺陷。嚴(yán)重影響良品率，降低了產(chǎn)能效益，增加生產(chǎn)...
晶圓,激光晶圓劃片,晶圓切割,隱形切割
晶圓是用來(lái)制造IC芯片的基礎(chǔ)材料，由晶體和硅熔體通過(guò)熔晶工藝制造出晶圓棒，再通過(guò)切片方式制造出單片晶圓，晶圓劃片則是劃線出單個(gè)晶體單位。 晶圓劃片工藝已經(jīng)不再只是把一個(gè)硅晶圓劃片成單獨(dú)的芯片這樣簡(jiǎn)單的操作。隨著更多的封裝工藝在晶圓級(jí)完成,并且要進(jìn)行必要的微型化,針對(duì)不同任務(wù)的要求,在分割工藝中需要對(duì)不同的操作參數(shù)進(jìn)行...
晶圓劃片,激光晶圓劃片,激光劃片,單晶硅
在半導(dǎo)體行業(yè)，尤其是晶圓制造的過(guò)程中，激光打標(biāo)一直以來(lái)起著至關(guān)重要的作用，借助于這種非接觸式的刻印工藝，我們才能保證晶圓的穩(wěn)定可追溯性，以便在整個(gè)制造過(guò)程中進(jìn)行追蹤。當(dāng)然，這也意味著激光標(biāo)記必須時(shí)刻能夠被讀取，同時(shí)對(duì)工藝細(xì)節(jié)有著嚴(yán)格的要求，因?yàn)闃?biāo)記不能妨礙底層上的任何工藝，也不能對(duì)晶圓造成任何額外的損壞，必須讓整...
