在半導(dǎo)體2.5/3D封裝中，有機(jī)轉(zhuǎn)接板、TSV硅轉(zhuǎn)接板和TGV玻璃轉(zhuǎn)接板是主流的轉(zhuǎn)接板材料。其中，玻璃的高頻性能優(yōu)異，這是因?yàn)椴Ａ墙^緣材料，其介電常數(shù)是硅的1/3，損耗因子比硅小2~3個數(shù)量級。這使得玻璃能夠顯著減小高頻下的插入損耗和串?dāng)_，因此基于玻璃的TGV轉(zhuǎn)接板在射頻集成領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。

此外，玻璃的熱膨脹系數(shù)可調(diào)，可以降低與不同材料間的熱失配。這對于實(shí)現(xiàn)可靠的熱管理是非常重要的。

另外，由于大尺寸玻璃面板易于獲取，不需要沉積絕緣層，因此玻璃的成本約為硅襯底的1/8。這使得玻璃成為一種經(jīng)濟(jì)高效的轉(zhuǎn)接板材料選擇。

然而，TGV技術(shù)面臨的關(guān)鍵問題是缺乏類似硅的深刻蝕工藝，難以快速制作高深寬比的玻璃深孔或溝槽。傳統(tǒng)的噴砂法、濕法刻蝕法和激光鉆孔法等均存在一定的局限性。感應(yīng)耦合等離子體(ICP)干法刻蝕技術(shù)控制精度高，刻蝕表面平整光滑，垂直度好，常用于刻蝕高深寬比結(jié)構(gòu)，但各向同性刻蝕嚴(yán)重。由于玻璃襯底上掩膜沉積工藝的限制，在深孔刻蝕時，需要一定的刻蝕選擇比。在保證側(cè)壁垂直性與刻蝕選擇比的同時提高玻璃刻蝕速率成為目前研究的難點(diǎn)。

TGV通孔制備的方法有噴砂、機(jī)械鉆孔、干法刻蝕、濕法腐蝕、聚焦放電等，然而上述方法都有明顯的缺點(diǎn)，目前TGV通孔制備的使用最廣泛的方法是：激光刻蝕與激光誘導(dǎo)變性。

激光刻蝕玻璃的方法不需要掩膜，可以省略相關(guān)的工藝過程，降低制造成本。激光刻蝕能夠自然形成一定傾斜角度的深孔，這有利于后續(xù)在高深寬比深孔內(nèi)填充金屬。然而，這種方法需要串行進(jìn)行加工，影響了刻蝕效率和產(chǎn)量，因此一般適用于需要通孔數(shù)量比較少的情況。此外，激光刻蝕引起的瞬間高溫和玻璃本身較低的熱導(dǎo)率使襯底承受更高的熱應(yīng)力集中，容易在盲孔側(cè)壁造成微裂紋，并且側(cè)壁的形狀控制較為困難、表面粗糙度很差。另外，激光燒蝕造成的熔融產(chǎn)物和殘?jiān)街谏羁椎拈_口處，在刻蝕以后必須采用額外的平整工藝去除表面殘?jiān)?/p>

激光誘導(dǎo)變性制造TGV通孔的方法是通過脈沖激光誘導(dǎo)玻璃產(chǎn)生連續(xù)的變性區(qū)，相比未變性區(qū)域的玻璃，變性玻璃在氫氟酸中刻蝕程度提升、效率加快。這種方法可以實(shí)現(xiàn)高深寬比的玻璃深孔或溝槽的制作，并且具有各向同性刻蝕的優(yōu)點(diǎn)。然而，這種方法需要進(jìn)行兩次加工（激光誘導(dǎo)變性和氫氟酸刻蝕），工藝流程較長，成本較高。同時，玻璃的表面質(zhì)量較差，需要進(jìn)行額外的處理。